Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器 | |
鞠振刚; 张吉英; 蒋大勇; 单崇新; 姚斌; 申德振 ; 吕有明; 范希武
| |
| 2008-10-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| ISSN | 1000-7032 |
| 期号 | 5 |
| 摘要 | 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。 |
| 关键词 | Mgzno薄膜 太阳盲光电探测器 金属有机化学气相沉积 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21376 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鞠振刚,张吉英,蒋大勇,等. MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器[J]. 发光学报,2008(5). |
| APA | 鞠振刚.,张吉英.,蒋大勇.,单崇新.,姚斌.,...&范希武.(2008).MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器.发光学报(5). |
| MLA | 鞠振刚,et al."MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器".发光学报 .5(2008). |
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