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Cd_xZn_1_x_O_Eu_3_荧光粉的制备及其发光性质
楚广生; 张家骅; 陈力
2008-10-01
发表期刊发光学报
期号5
摘要采用高温固相法在1100℃下合成了Eu3+掺杂的CdxZn1-xO发光材料。采用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。分析了不同浓度Cd2+的掺杂对于样品发光及激发峰位置的影响。通过对荧光光谱的测试,表明Cd2+的引入使得体系的禁带宽度变窄,并且通过Cd2+掺杂浓度的变化,可以对样品的激发光谱峰值在380~410nm进行调制,样品的发光以520nm处的宽带发射为主,并没有明显的Eu3+的特征发射,表明基质与Eu3+之间的能量传递并不有效。在加入Li+作为电荷补偿剂之后,出现了来自Eu3+的特征发射,相应的发射光谱的发射主峰位于609nm。样品380~410nm的激发峰范围覆盖了紫外LED芯片的输出波长。因此,这种荧光粉是一种可能应用在白光LED上的红色荧光粉材料。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21357
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
楚广生,张家骅,陈力. Cd_xZn_1_x_O_Eu_3_荧光粉的制备及其发光性质[J]. 发光学报,2008(5).
APA 楚广生,张家骅,&陈力.(2008).Cd_xZn_1_x_O_Eu_3_荧光粉的制备及其发光性质.发光学报(5).
MLA 楚广生,et al."Cd_xZn_1_x_O_Eu_3_荧光粉的制备及其发光性质".发光学报 .5(2008).
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