Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 低温(常温)场效应式气敏元件 （实用新型） | |
索辉; 刘云; 王立军 ; 徐宝琨; 王庆亚; 赵毅
| |
| 2000-11-29 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2000-11-29 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型属于半导体器件，涉及一种低温（常温）场效应式气敏元件。主要由纳米晶气敏薄膜，ＳｉＯ↓［２］层，ｎ型或ｐ型Ｓｉ源、漏极，ｐ型或ｎ型Ｓｉ层，栅极金属电极，源、漏金属电极等构成。如果Ｓｉ层是ｎ型，那么Ｓｉ源、漏极是ｐ型的。在Ｓｉ层上有两个不相接触的Ｓｉ源、…… |
| 申请日期 | 1999-12-06 |
| 专利号 | 2408573 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 99257016.6 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12925 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 索辉,刘云,王立军,等. 低温(常温)场效应式气敏元件 （实用新型）. 2408573[P]. 2000-11-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200000240857300000（257KB） | 开放获取 | -- | 浏览 请求全文 | |||
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