Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
N型磷化铟欧姆接触制造方法 (发明) | |
王立军![]() | |
1999-07-07 | |
专利权人 | 中国科学院长春物理研究所 |
公开日期 | 2012-09-14 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 一种n-InP欧姆接触的制造方法,属于半导体技术领域,通过向浓度为1×10↑[18]cm↑[-3]的N型InP表面依次蒸镀一定厚度的AuSb、AuGeNi和高纯Au使欧姆接触由常规法的4×10↑[-6]Ω.cm↑[2]降到8×10↑[-7]Ω.cm↑[2],有…… |
申请日期 | 1997-12-27 |
专利号 | 1221978 |
语种 | 中文 |
申请号 | 97119870.5 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12717 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立军,武胜利,刘云,等. N型磷化铟欧姆接触制造方法 (发明). 1221978[P]. 1999-07-07. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN199900122197800000(142KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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