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N型磷化铟欧姆接触制造方法 (发明)
王立军; 武胜利; 刘云; 付德惠
1999-07-07
专利权人中国科学院长春物理研究所
公开日期2012-09-14
专利类型发明专利
摘要一种n-InP欧姆接触的制造方法,属于半导体技术领域,通过向浓度为1×10↑[18]cm↑[-3]的N型InP表面依次蒸镀一定厚度的AuSb、AuGeNi和高纯Au使欧姆接触由常规法的4×10↑[-6]Ω.cm↑[2]降到8×10↑[-7]Ω.cm↑[2],有……
申请日期1997-12-27
专利号1221978
语种中文
申请号97119870.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12717
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
王立军,武胜利,刘云,等. N型磷化铟欧姆接触制造方法 (发明). 1221978[P]. 1999-07-07.
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