Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 一种Ⅱ-Ⅵ族半导体膜的制备技术 （发明） | |
| 孙甲明; 张吉英 | |
| 1998-06-24 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春物理研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-14 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明属于涉及ＺｎＳｅ基Ⅱ－Ⅵ族半导体膜的制备技术。本发明提供了一种Ⅱ－Ⅵ族半导体膜的制备技术，这种技术可获得大面积、表面光亮的Ⅱ－Ⅵ族半导体膜。用３０－５０％的ＫＯＨ溶液，也可用同浓度的ＮａＯＨ溶液作电解液，直流电压６－１５Ｖ，ＧａＡｓ电阻率≤１００Ω·ｃｍ…… |
| 申请日期 | 1996-12-17 |
| 专利号 | 1185651 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 96122294.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12708 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙甲明,张吉英. 一种Ⅱ-Ⅵ族半导体膜的制备技术 （发明）. 1185651[P]. 1998-06-24. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN199800118565100000（78KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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