Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
AlGaInP-LED微显示器件 (实用新型) | |
梁静秋![]() ![]() ![]() | |
2008-09-17 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2008-09-17 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本实用新型属于发光显示技术领域,是一种高亮度微显示器件及制作方法。本实用新型所述的微显示器件包括有:上电极、透光层、发光层、反射层、基片、下电极、上保护层、光阑。上述器件制备过程包括:(A)在透光层和基片上制作金属薄膜和保护层,(B)制作上隔离沟槽和制备上电极,(C)制备光阑,(D)制作下隔离沟槽,(E)制作下电极;封…… |
资助项目 | 201119048 |
申请号 | 200720093946.2 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12480 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋,王波,王维彪,等. AlGaInP-LED微显示器件 (实用新型)[P]. 2008-09-17. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN200820111904800000(555KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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