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AlGaInP-LED微显示器件 (实用新型)
梁静秋; 王波; 王维彪; 梁中翥; 朱万彬
2008-09-17
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2008-09-17
专利类型实用新型
摘要本实用新型属于发光显示技术领域,是一种高亮度微显示器件及制作方法。本实用新型所述的微显示器件包括有:上电极、透光层、发光层、反射层、基片、下电极、上保护层、光阑。上述器件制备过程包括:(A)在透光层和基片上制作金属薄膜和保护层,(B)制作上隔离沟槽和制备上电极,(C)制备光阑,(D)制作下隔离沟槽,(E)制作下电极;封……
资助项目201119048
申请号200720093946.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12480
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
梁静秋,王波,王维彪,等. AlGaInP-LED微显示器件 (实用新型)[P]. 2008-09-17.
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