高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器 (发明)

	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器 (发明)
	张建伟; 宁永强; 秦莉; 刘云; 曾玉刚; 王立军
	2012-07-25
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，为解决现有的垂直腔面发射半导体激光器光场在Ｐ型ＤＢＲ一侧的高损耗、激光器的转换效率受到限制的问题，本发明提供高效率非对称光场分布的垂直腔面发射半导体激光器，该激光器由下至上依次为Ｎ面电极、Ｎ型衬底、Ｎ型缓冲层、Ｎ型分段ＤＢＲ、有源区、氧化限制层、Ｐ……
资助项目	102611000A
申请号	201210079120.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/12238
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张建伟,宁永强,秦莉,等. 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器 (发明)[P]. 2012-07-25.