ＲＢ－ＳｉＣ基底反射镜表面改性层结构及制备方法 (发明)

	ＲＢ－ＳｉＣ基底反射镜表面改性层结构及制备方法 (发明)
	申振峰; 高劲松
	2011-06-15
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及一种ＲＢ－ＳｉＣ基底反射镜表面改性层结构，该结构包括对ＲＢ－ＳｉＣ基底表面Ｓｉ相成分碳化后得到的ＳｉＣ相成分，在ＲＢ－ＳｉＣ基底ＳｉＣ相成分与Ｓｉ相成分碳化后得到的ＳｉＣ相成分表面制备的类金刚石膜缓冲层，在类金刚石膜缓冲层上生长的均匀致密的Ｓｉ改性层。本发明借助离子注入手段，首先将ＲＢ－ＳｉＣ基底表面Ｓｉ相成……
资助项目	102094179A
申请号	201010614356.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11899
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	申振峰,高劲松. ＲＢ－ＳｉＣ基底反射镜表面改性层结构及制备方法 (发明)[P]. 2011-06-15.