一种利用光栅实现高功率相干出光的半导体激光器 (发明)

	一种利用光栅实现高功率相干出光的半导体激光器 (发明)
	叶淑娟; 胡永生; 秦莉; 张楠; 仕均秀
	2010-11-24
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及半导体激光器装置，特别是一种利用光栅实现高功率相干出光的半导体激光器，包括ｎ面电极、衬底、缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、接触层和ｐ面电极，半导体激光器内长有周期性变化的光栅，该光栅是部分刻槽的有源层和上波导层或者是部分刻槽的有源层和下波导层或者是由部分刻槽的上波导层和上包层或者是由部分刻……
资助项目	101895061A
申请号	201010242494.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11789
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	叶淑娟,胡永生,秦莉,等. 一种利用光栅实现高功率相干出光的半导体激光器 (发明)[P]. 2010-11-24.