中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明)
	王立昆; 张吉英; 郑剑; 单崇新; 申德振; 姚斌; 赵东旭; 李炳辉; 张振中
	2010-09-22
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法属于半导体光电材料制备技术领域，该方法利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ方法在低温富氧条件下生长立方相ＭｇＺｎＯ薄膜，生长条件是：选用蓝宝石和氧化镁衬底，生长室压力为２×１０４Ｐａ，生长温度２８０－４５０℃；载气为９９．９９９％氮气，ＭＣｐ２Ｍｇ作为镁源，源温控制在４０－５０℃，其摩尔流量为１８－４……
资助项目	101838845A
申请号	201010172836.1
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11745
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	王立昆,张吉英,郑剑,等. 立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法 (发明)[P]. 2010-09-22.

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