垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀非闭合环形沟槽法 (发明)

	垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀非闭合环形沟槽法 (发明)
	张岩; 宁永强; 秦莉; 刘云; 王立军; 李特
	2009-08-19
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀非闭合环形沟槽法属于半导体激光器电极制作技术领域，该方法是采用刻蚀非闭合环形沟槽法，即在原刻蚀环形沟槽的位置刻蚀非闭合环形沟槽，通过这个沟槽可以完成氧化物限制层工艺，且形成的孔径与原圆环形的一样接近圆形，之后不需将其填充，非闭合环形沟槽的开口通道使得激光器圆台台面仍与连接面、焊盘……
资助项目	101510666
申请号	200910066764.X
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11592
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张岩,宁永强,秦莉,等. 垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀非闭合环形沟槽法 (发明)[P]. 2009-08-19.