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粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法 (发明)
尧舜; 王立军; 刘云; 张彪; 姚迪; 王超
2007-06-27
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2007-06-27
专利类型发明专利
摘要本发明涉及粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及其制备方法。首先选取高导热金属材料制作成尺寸为(a×b×c)的矩形热沉胚体,在热沉胚体上制出直径R的通孔形成热沉基体,将圆柱体横截面分割成两半,在分割面上制出粗糙元胚体的粗糙元区,在粗糙元胚体的圆弧型底部涂焊料并嵌入通孔底部焊成整体,完成热沉的制作。结构包括:热沉基体1、通孔……
资助项目1323472
申请号200510016714.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11415
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
尧舜,王立军,刘云,等. 粗糙元型半导体激光器有源热沉结构及制备方法 (发明)[P]. 2007-06-27.
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