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半导体激光头泵浦源用微通道热沉结构及制备方法 (发明)
尧舜; 王立军; 刘云; 张彪; 姚迪; 王超
2008-02-20
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2008-02-20
专利类型发明专利
摘要本发明涉及半导体激光头泵浦源用微通道热沉结构及其制备方法。在长度X的矩形热沉基体两端加工直径R1、深度H的盲孔,在盲孔底部加工直径R2的通孔,R2<R1;按需要切割微通道形成微通道区,微通道的方向与通孔的方向一致,微通道的壁面与热沉基体的上下表面垂直,微通道区的横截面在盲孔内部;选取与热沉基体相同的材料直径为R3的圆柱……
资助项目100370659
申请号200510016713.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11414
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
尧舜,王立军,刘云,等. 半导体激光头泵浦源用微通道热沉结构及制备方法 (发明)[P]. 2008-02-20.
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