半导体激光头泵浦源用微通道热沉结构及制备方法 (发明)

	半导体激光头泵浦源用微通道热沉结构及制备方法 (发明)
	尧舜; 王立军; 刘云; 张彪; 姚迪; 王超
	2008-02-20
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2008-02-20
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及半导体激光头泵浦源用微通道热沉结构及其制备方法。在长度Ｘ的矩形热沉基体两端加工直径Ｒ１、深度Ｈ的盲孔，在盲孔底部加工直径Ｒ２的通孔，Ｒ２＜Ｒ１；按需要切割微通道形成微通道区，微通道的方向与通孔的方向一致，微通道的壁面与热沉基体的上下表面垂直，微通道区的横截面在盲孔内部；选取与热沉基体相同的材料直径为Ｒ３的圆柱……
资助项目	100370659
申请号	200510016713.8
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11414
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	尧舜,王立军,刘云,等. 半导体激光头泵浦源用微通道热沉结构及制备方法 (发明)[P]. 2008-02-20.