背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构及制备方法 (发明)

	背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构及制备方法 (发明)
	尧舜; 王立军; 刘云; 张彪
	2006-10-25
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2006-10-25
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构包括：微通道部分１和进出水底座２。方法是用高导热金属材料加工微通道边框，由半圆柱型槽和微通道区构成的微通道胚体，用高导热金属材料制备进出水底座包括互通的管道和小通道区，将微通道胚体，微通道边框和进出水底座组装。本发明微通道的侧壁与微通道顶壁为一体化结构，避免背景技术中分层……
资助项目	1282285
申请号	200410010868.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11413
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	尧舜,王立军,刘云,等. 背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构及制备方法 (发明)[P]. 2006-10-25.