中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

QQ客服 官方微博 反馈留言

	制备多晶硅的方法 (发明)
	廖燕平; 邵喜斌; 付国柱; 荆海; 郜峰利; 缪国庆
	2004-11-10
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为０．５～２．５ｎｍ。在４００～５００℃温度，氮气气氛下退火２～４小时，形成镍硅化合物ＮｉＳｉ，用能量密度为２６０～３６０ｍＪ／ｃｍ↑［２］的准分子激光把非晶硅熔化。随着熔化的非晶硅温度降低，在非晶硅的……
资助项目	1545143
申请号	200310110056.4
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11391
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	廖燕平,邵喜斌,付国柱,等. 制备多晶硅的方法 (发明)[P]. 2004-11-10.

条目包含的文件		下载所有文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN200400154514300000（310KB）			开放获取	--	浏览 下载

个性服务

推荐该条目

保存到收藏夹

查看访问统计

导出为Endnote文件

谷歌学术

谷歌学术中相似的文章

[廖燕平]的文章

[邵喜斌]的文章

[付国柱]的文章

百度学术

百度学术中相似的文章

[廖燕平]的文章

[邵喜斌]的文章

[付国柱]的文章

必应学术

必应学术中相似的文章

[廖燕平]的文章

[邵喜斌]的文章

[付国柱]的文章

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。