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铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法 (发明)
张吉英; 冯秋菊; 申德振; 吕有明; 范希武; 李炳生
2008-09-10
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2008-09-10
专利类型发明专利
摘要本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上,控制生长室压力为低压,将高纯氢气通入生长室,调节高频感应电源对石墨基座加热,在600℃下高温处理衬底10分钟-20分钟,利用冷阱装置分别将二乙基锌及五羰基铁的温度源控制在所需数值,并使衬底温度降至最佳生……
资助项目100418192
申请号200510017028.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11373
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
张吉英,冯秋菊,申德振,等. 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法 (发明)[P]. 2008-09-10.
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