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利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 (发明)
廖新胜; 刘云; 王立军
2004-10-06
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2004-10-06
专利类型发明专利
摘要本发明涉及湿法刻蚀中的光刻技术,将抛光的样品用溶剂超声清洗;用热的保护性气体将样品吹干去湿,经粘附增强剂处理;用光刻胶溶液旋转涂覆,在一定温度下烘干去除溶剂;前烘之后的样品完全曝光,再用光刻胶溶液旋转涂覆烘干并掩膜光刻,显影之后固化,得到厚的掩膜光刻胶,最后腐蚀。采用本发明提供的用普通UV光深层光刻的分离曝光技术,解决……
资助项目1170208
申请号1120961.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11302
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
廖新胜,刘云,王立军. 利用普通紫外光深刻层光刻的分离曝光工艺方法 (发明)[P]. 2004-10-06.
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