中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	多晶硅的定向生长方法 (发明)
	廖燕平; 邵喜斌; 邝俊峰; 荆海; 付国柱; 骆文生; 郜峰利; 缪国庆
	2006-05-31
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2006-05-31
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为２．０～３．０ｎｍ，在４００～５００℃温度，氮气气氛下退火３～５小时，形成一薄层镍硅化合物ＮｉＳｉ↓［２］小籽晶，用能量密度为２７０～３６０ｍＪ／ｃｍ↑［２］和频率为１０～１５Ｈｚ的准分子激光把非……
资助项目	1258006
申请号	200310115895.5
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11048
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	廖燕平,邵喜斌,邝俊峰,等. 多晶硅的定向生长方法 (发明)[P]. 2006-05-31.

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CN200400154674400000（332KB）			开放获取	--	浏览 下载

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