Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
氧化物透明导电薄膜材料 (发明) | |
初国强; 刘星元![]() ![]() | |
2002-09-18 | |
专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
公开日期 | 2012-08-29 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 本发明属于光电技术,是一种透明导电薄膜,本发明是用掺有硼、铝、铟的一种或一种以上的Zn↓[2]SnO↓[4]或Zn-SnO↓[3]作为透明导电薄膜材料,用喷涂法、溅射镀膜法或热蒸发法、离子镀,制备氧化物透明导电薄膜,薄膜中分子式可以写成M:ZnSnO↓[4]或M:ZnSnO↓[3],其中M表示为B、Al、In。使用本发…… |
资助项目 | 1369572 |
申请号 | 1112276.5 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11037 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 初国强,刘星元,刘云,等. 氧化物透明导电薄膜材料 (发明)[P]. 2002-09-18. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN200200136957200000(209KB) | 开放获取 | -- | 浏览 请求全文 |
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