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氧化物透明导电薄膜材料 (发明)
初国强; 刘星元; 刘云; 王立军
2002-09-18
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2012-08-29
专利类型发明专利
摘要本发明属于光电技术,是一种透明导电薄膜,本发明是用掺有硼、铝、铟的一种或一种以上的Zn↓[2]SnO↓[4]或Zn-SnO↓[3]作为透明导电薄膜材料,用喷涂法、溅射镀膜法或热蒸发法、离子镀,制备氧化物透明导电薄膜,薄膜中分子式可以写成M:ZnSnO↓[4]或M:ZnSnO↓[3],其中M表示为B、Al、In。使用本发……
资助项目1369572
申请号1112276.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11037
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
初国强,刘星元,刘云,等. 氧化物透明导电薄膜材料 (发明)[P]. 2002-09-18.
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