中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

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	低压反应离子镀方法制备碳锗合金膜 (发明)
	王笑夷; 高劲松
	2004-12-15
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2012-08-29
专利类型	发明专利
摘要	本发明是低压反应离子镀方法制备碳锗合金（Ｇｅ↓［ｘ］Ｃ↓［１－ｘ］）膜，以高纯锗作为蒸发材料，以氩气作为工作气体引入离子源，为镀膜提供等离子体，含碳气体作为反应气体通入真空室并在氩等离子体的作用下被电离分解，使蒸发的锗与碳发生反应，在基片上形成碳锗合金（Ｇｅ↓［ｘ］Ｃ↓［１－ｘ］）膜。本发明方法可得到折射率变化范围较宽……
资助项目	1554800
申请号	200310115962.3
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11034
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	王笑夷,高劲松. 低压反应离子镀方法制备碳锗合金膜 (发明)[P]. 2004-12-15.

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CN200400155480000000（210KB）			开放获取	--	浏览 下载

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