用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法 (发明)

	用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法 (发明)
	王岩松; 范翊; 罗劲松; 张立功
	2009-06-24
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2009-06-24
专利类型	发明专利
摘要	本发明属于电子材料技术领域，是一种用于高温传感器的Ｓｉ－Ｂ－Ｃ－Ｎ非晶陶瓷材料的制备方法。采用高温热裂解聚合物前驱体法，具体步骤是：选取二乙烯基二氯硅烷和乙硼烷的乙醚溶液作为起始原料，化学合成聚合物前驱体；固化、交联，生成固态聚合物；通过球磨，将固态聚合物研磨成粉末；把固态聚合物粉末压成片状，在高温下烧结，使聚合物热解……
资助项目	100503514
申请号	200510016502.4
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/10976
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	王岩松,范翊,罗劲松,等. 用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法 (发明)[P]. 2009-06-24.